罗伯特·诺伊斯与平面工艺
1959年，仙童半导体（Fairchild Semiconductor）的罗伯特·诺伊斯发明了平面工艺，通过在硅晶圆表面氧化和蚀刻来制造集成电路，实现了铝导线连接。
平面工艺解决了元件之间的互连问题，使集成电路的大规模生产成为可能。
平面工艺的主要步骤
- 氧化：在硅表面生成氧化层
- 光刻：在氧化层上开孔
- 扩散：通过开孔进行掺杂
- 金属化：蒸镀铝形成互连
罗伯特·诺伊斯与平面工艺
诺伊斯发明的平面工艺是集成电路大规模制造的基础，本文介绍其技术突破。
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